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Description
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 2 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Fréquence de transition minimum: 160 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: SOT-89
Code 8-729-106-68
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